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林志胜 
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型号/规格:DSS2X61-01A 品牌/商标:艾赛斯 封装形式:平底形 环保类别:普通型 安装方式:直插式 包装方式:散装
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型号/规格:SKKE600F12 品牌/商标:Semikron/西门康 封装形式:模块 环保类别:无铅环保型 安装方式:4安装固定孔 包装方式:盒带编带包装 功率特性:大功率 频率特性:超高频 反向电压:1200V 整流电流:600A 工作温度范围:30-150（℃） 功耗:1 批号:1 材料:硅(Si) 是否进口:是 针脚数:1 类型:其他IC 产品类型:快恢复二极管 封装:模块
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工作温度范围:125（℃） 功耗:1 批号:1 材料:硅(Si) 是否进口:是 针脚数:1 型号/规格:SKKE330F17 用途:高频电源 产品类型:快恢复二极管 品牌/商标:Semikron/西门康 主要参数:330A1700V 封装:模块
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工作温度范围:30-150（℃） 功耗:1 型号/规格:MURP20040CT 批号:1 材料:硅(SI) 品牌/商标:DACO 产品类型:快恢复二极管 针脚数:1 是否进口:是 封装:双塔
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工作温度范围:11（℃） 功耗:41 结构:D5807N02-06T 批号:4154 材料:D5807N02-06T 是否进口:是 针脚数:4 正向平均电流,IF:3 反向浪涌电压,Vrrm:31 型号/规格:D5807N02-06T 产品类型:整流管 品牌/商标:进口 封装:模块
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材料:IGBT绝缘栅比极 种类:绝缘栅(MOSFET) 是否进口:是 型号/规格:MG200Q1JS40 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 品牌/商标:TOS日本东芝 用途:MOS-HBM/半桥组件 产品类型:MG200Q1JS40 沟道类型:P沟道 导电方式:耗尽型
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材料:IGBT绝缘栅比极 种类:绝缘栅(MOSFET) 是否进口:是 型号/规格:MG150Q1JS50 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 品牌/商标:TOS日本东芝 用途:MOS-HBM/半桥组件 产品类型:MG150Q1JS50 沟道类型:P沟道 导电方式:耗尽型
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加工定制:否 产品类型:开关管 是否进口:是 品牌/商标:DW大卫 型号/规格:DM2G100SH6A 材料:硅(Si) 主要参数:100A600V 用途:焊接设备 备注:600V高频
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是否提供加工定制:否 产品类型:开关管 是否进口:是 品牌/商标:其他 型号/规格:DD160F120 材料:铝(Al) 主要参数:160 用途:160 备注:1200
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品牌/商标:IXYS/艾赛斯 型号/规格:VUO62-14NO7 控制方式:双向 极数:二极 封装材料:金属封装 封装外形:平底形 关断速度:高频(快速) 散热功能:不带散热片 功率特性:大功率 频率特性:超高频 额定正向平均电流:62（A） 控制极触发电压:1400（V） 控制极触发电流:1（mA） 正向重复峰值电压:1（V） 反向阻断峰值电压:1（V） 应用范围:其他
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是否提供加工定制:否 产品类型:开关管 是否进口:是 品牌/商标:其他 型号/规格:DD250HB120 材料:铝(Al) 主要参数:250 用途:250 备注:1200
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功率特性:大功率 正向峰值电压:1000（V） 直流输出电流:36（A） 直流输出电压:1600（V） 交流输入电压:1600（V） 整流元件:全桥 工作结温:100（℃） 频率特性:中频 效率:100（%） 应用范围:电机 型号/规格:36MB80A 绝缘电压:1000（V） 反向重复峰值电压:1600（V） 反向重复峰值电流:1000（mA） 品牌/商标:IR/国际整流器 类型:其他IC
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