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林志胜 
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型号/规格:SKKT162/16E 品牌/商标:SEMIKRON（西门康） 是否含税:含17%增值税 品质:全新原装 是否进口:是
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工作温度范围:11（℃） 功耗:41 结构:D5807N02-06T 批号:4154 材料:D5807N02-06T 是否进口:是 针脚数:4 正向平均电流,IF:3 反向浪涌电压,Vrrm:31 型号/规格:D5807N02-06T 产品类型:整流管 品牌/商标:进口 封装:模块
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封装外形:P-DIT/塑料双列直插 型号/规格:CM300DY-12A 材料:IGBT绝缘栅比极 用途:MOS-HBM/半桥组件 品牌/商标:Mitsubishi/三菱 沟道类型:N沟道 种类:绝缘栅(MOSFET) 导电方式:增强型 类型:其他IC
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材料:IGBT绝缘栅比极 种类:绝缘栅(MOSFET) 是否进口:是 型号/规格:MG200Q1JS40 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 品牌/商标:TOS日本东芝 用途:MOS-HBM/半桥组件 产品类型:MG200Q1JS40 沟道类型:P沟道 导电方式:耗尽型
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材料:IGBT绝缘栅比极 种类:绝缘栅(MOSFET) 是否进口:是 型号/规格:MG150Q1JS50 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 品牌/商标:TOS日本东芝 用途:MOS-HBM/半桥组件 产品类型:MG150Q1JS50 沟道类型:P沟道 导电方式:耗尽型
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品牌/商标:进口 型号/规格:1MBI600NN-060igbt 控制方式:单向 极数:多极 封装材料:塑料封装 封装外形:模块 关断速度:高频(快速) 散热功能:带散热片 功率特性:大功率 频率特性:超高频 额定正向平均电流:60（A） 控制极触发电压:1200（V） 控制极触发电流:1（mA） 正向重复峰值电压:1（V） 反向阻断峰值电压:1（V）
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品牌/商标:进口 型号/规格:SKKT500/16E SKKT500/18E 控制方式:单向 极数:二极 封装材料:塑料封装 封装外形:平底形 关断速度:高频(快速) 散热功能:不带散热片 频率特性:中频 功率特性:中功率 额定正向平均电流:500（A） 控制极触发电流:500（mA） 稳定工作电流:500（A） 反向重复峰值电压:1600（V）
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品牌/商标:EUPEC 型号/规格:T3401N31TOF 控制方式:单向 极数:二极 封装材料:塑料封装 封装外形:平板形 关断速度:高频(快速) 散热功能:不带散热片 频率特性:超高频 功率特性:大功率 额定正向平均电流:3400（A） 控制极触发电流:10（mA） 稳定工作电流:3400（A） 反向重复峰值电压:3100（V）
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品牌/商标:进口 型号/规格:SKKT71/16E SKKT72/08E 控制方式:单向 极数:二极 封装材料:塑料封装 封装外形:平底形 关断速度:高频(快速) 散热功能:不带散热片 频率特性:中频 功率特性:小功率 额定正向平均电流:71（A） 控制极触发电流:71（mA） 稳定工作电流:71（A） 反向重复峰值电压:1600（V）
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品牌/商标:进口 型号/规格:PE250HB120 PE250HB160 控制方式:单向 极数:二极 封装材料:塑料封装 封装外形:平底形 关断速度:高频(快速) 散热功能:不带散热片 频率特性:低频 功率特性:中功率 额定正向平均电流:250（A） 控制极触发电流:250（mA） 稳定工作电流:250（A） 反向重复峰值电压:1200（V）
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品牌/商标:FUJI/富士通 型号/规格:1MBI600NN-060 控制方式:双向 极数:二极 封装材料:塑料封装 封装外形:模块 关断速度:高频(快速) 散热功能:带散热片 功率特性:大功率 频率特性:超高频 额定正向平均电流:60（A） 控制极触发电压:1200（V） 控制极触发电流:1（mA） 正向重复峰值电压:1（V） 反向阻断峰值电压:1（V）
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品牌/商标:进口 型号/规格:SKKT72/16E SKKT72/18E 控制方式:单向 极数:二极 封装材料:塑料封装 封装外形:平底形 关断速度:高频(快速) 散热功能:带散热片 频率特性:中频 功率特性:中功率 额定正向平均电流:72（A） 控制极触发电流:72（mA） 稳定工作电流:72（A） 反向重复峰值电压:1600（V）
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